0 0 0
  8. SIZ348DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ348DT-T1-GE3

 
SIZ348DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847072
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
50.82 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
10,19мОм(1985985)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
16,7Вт(1742017)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18,2нC(1609883)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ348DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847072
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
50.82 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
10,19мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
16,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18,2нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g