0 0 0
  8. SIZ704DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ704DT-T1-GE3

 
SIZ704DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846863
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
59.56 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12/16А(1985987)
Сопротивление в открытом состоянии
30/17мОм(1985989)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
20/30Вт(1985988)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12/23нC(1985990)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30...40А(1811050)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ704DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846863
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 12/16А; 20/30Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
59.56 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12/16А
Сопротивление в открытом состоянии
30/17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
20/30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12/23нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30...40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g