0 0 0
  8. SIZ918DT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIZ918DT-T1-GE3

 
SIZ918DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847009
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
59.59 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
16/28А(1986001)
Сопротивление в открытом состоянии
14,5/4,5мОм(1986004)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
29/100Вт(1986003)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21/105нC(1986005)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50...110А(1986002)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIZ918DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847009
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 16/28А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
59.59 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
16/28А
Сопротивление в открытом состоянии
14,5/4,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
29/100Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21/105нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50...110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g