0 0 0
  7. SIZ998DT-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIZ998DT-T1-GE3

 
SIZ998DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846861
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
67.88 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
20/60А(1986016)
Сопротивление в открытом состоянии
10/3,8мОм(1986020)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Рассеиваемая мощность
20,2/32,9Вт(1986019)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18/44,3нC(1986021)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
90...130А(1986012)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIZ998DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846861
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
67.88 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
20/60А
Сопротивление в открытом состоянии
10/3,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Рассеиваемая мощность
20,2/32,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18/44,3нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
90...130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g