0 0 0
  7. SIZF916DT-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIZF916DT-T1-GE3

 
SIZF916DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846980
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
70.75 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
40/60А(1986006)
Сопротивление в открытом состоянии
6,8/1,75мОм(1986034)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Рассеиваемая мощность
26,6/60Вт(1986031)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22/95нC(1986035)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
130...110А(1986030)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIZF916DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846980
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
70.75 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
40/60А
Сопротивление в открытом состоянии
6,8/1,75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Рассеиваемая мощность
26,6/60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22/95нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
130...110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g