0 0 0
  7. SIZF918DT-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SIZF918DT-T1-GE3

 
SIZF918DT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842740
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
71.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
40/60А(1986006)
Сопротивление в открытом состоянии
6,8/2,7мОм(1986038)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Рассеиваемая мощность
26,6/50Вт(1986037)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22/56нC(1986039)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
130...100А(1986036)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIZF918DT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842740
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
71.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
40/60А
Сопротивление в открытом состоянии
6,8/2,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Рассеиваемая мощность
26,6/50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22/56нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
130...100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g