0 0 0
  8. SMB10J30A-E3/5B

Диоды transil SMD однонаправленные SMB10J30A-E3/5B

 
SMB10J30A-E3/5B
 
VISHAY
Артикул: 214536
Диод: TVS; 1кВт; 33,3В; 16,5А; однонаправленный; SMB; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.50 грн
25+
15.76 грн
82+
12.15 грн
224+
11.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMB(1598085)
Обратное напряжение макс.
30В(1440178)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
16,5А(1501409)
Напряжение пробоя
33,3В(1528118)
Ток утечки
1мкА(1501355)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Серия
SMBJ(1952812)
Технология
TransZorb®(1667446)
Peak pulse power dissipation
1кВт(1911787)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,126 g
 
Диоды transil SMD однонаправленные SMB10J30A-E3/5B
VISHAY
Артикул: 214536
Диод: TVS; 1кВт; 33,3В; 16,5А; однонаправленный; SMB; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.50 грн
25+
15.76 грн
82+
12.15 грн
224+
11.49 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SMB
Обратное напряжение макс.
30В
Конструкция диода
однонаправленный
Импульсный ток
16,5А
Напряжение пробоя
33,3В
Ток утечки
1мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Серия
SMBJ
Технология
TransZorb®
Peak pulse power dissipation
1кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,126 g