0 0 0
  8. SQ1421EDH-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ1421EDH-T1_GE3

 
SQ1421EDH-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140950
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.90 грн
10+
31.04 грн
25+
27.70 грн
70+
14.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70-6(1491172)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-1А(1492341)
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
3,6нC(1609779)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ1421EDH-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140950
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.90 грн
10+
31.04 грн
25+
27.70 грн
70+
14.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70-6
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
3,6нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g