0 0 0
  8. SQ1470AEH-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQ1470AEH-T1_GE3

 
SQ1470AEH-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 860646
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.38 грн
5+
23.82 грн
25+
21.44 грн
61+
16.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2996 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
1,7А(1441494)
Сопротивление в открытом состоянии
0,115Ом(1738138)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,3Вт(1607485)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,2нC(1634355)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6,7А(1985929)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ1470AEH-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 860646
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.38 грн
5+
23.82 грн
25+
21.44 грн
61+
16.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2996 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
1,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,115Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,2нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6,7А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g