0 0 0
  7. SQ1539EH-T1_GE3

Транзисторы многоканальные SQ1539EH-T1_GE3

 
SQ1539EH-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 842750
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.37 грн
10+
26.86 грн
50+
22.33 грн
65+
15.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
850/-850мА(1996980)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом/380мОм(1986201)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,6/1,4нC(1986202)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы многоканальные SQ1539EH-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 842750
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.37 грн
10+
26.86 грн
50+
22.33 грн
65+
15.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
850/-850мА
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом/380мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,6/1,4нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g