0 0 0
  8. SQ2301ES-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ2301ES-T1_GE3

 
SQ2301ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140951
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.47 грн
10+
30.13 грн
60+
16.51 грн
164+
15.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2980 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,2А(1479082)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ2301ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140951
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.47 грн
10+
30.13 грн
60+
16.51 грн
164+
15.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2980 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g