0 0 0
  8. SQ2308CES-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQ2308CES-T1_GE3

 
SQ2308CES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 733123
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
46.04 грн
42+
24.61 грн
114+
23.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2102 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
0,325Ом(1790186)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,5нC(1479135)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9А(1790201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ2308CES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 733123
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
46.04 грн
42+
24.61 грн
114+
23.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2102 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,325Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g