0 0 0
  8. SQ2309ES-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ2309ES-T1_GE3

 
SQ2309ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 860510
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
40.28 грн
5+
24.01 грн
25+
21.17 грн
54+
18.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-1,7А(1492257)
Сопротивление в открытом состоянии
704мОм(1986082)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,5нC(1479414)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-6,8А(1986081)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ2309ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 860510
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
40.28 грн
5+
24.01 грн
25+
21.17 грн
54+
18.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-1,7А
Сопротивление в открытом состоянии
704мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-6,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g