Транзисторы с каналом N SMD SQ2310ES-T1_GE3

 
SQ2310ES-T1_GE3
 
Артикул: 077422
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,5А; 0,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.18 грн
5+
31.42 грн
25+
28.23 грн
36+
27.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1790 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
3,5А(1441257)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,6Вт(1507580)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,5нC(1479336)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ2310ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077422
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,5А; 0,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.18 грн
5+
31.42 грн
25+
28.23 грн
36+
27.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1790 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,5нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g