Транзисторы с каналом P SMD SQ2319ADS-T1_GE3

 
SQ2319ADS-T1_GE3
 
Артикул: 140952
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
46.43 грн
44+
22.82 грн
120+
21.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2715 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-2А(1492324)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10,5нC(1609889)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ2319ADS-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140952
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
46.43 грн
44+
22.82 грн
120+
21.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2715 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-2А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10,5нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g