0 0 0
  8. SQ2337ES-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ2337ES-T1_GE3

 
SQ2337ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140953
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.97 грн
5+
31.78 грн
25+
28.05 грн
41+
24.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4148 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-80В(1536865)
Ток стока
-1,3А(1636485)
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11,8нC(1738126)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ2337ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140953
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.97 грн
5+
31.78 грн
25+
28.05 грн
41+
24.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4148 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-80В
Ток стока
-1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11,8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g