0 0 0
  8. SQ2361AEES-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ2361AEES-T1_GE3

 
SQ2361AEES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 947637
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.87 грн
10+
71.40 грн
25+
62.47 грн
38+
26.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-2,8А(1610014)
Сопротивление в открытом состоянии
315мОм(1811059)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,67Вт(1811175)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-11А(1810552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ2361AEES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 947637
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.87 грн
10+
71.40 грн
25+
62.47 грн
38+
26.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
315мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,67Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-11А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g