0 0 0
  8. SQ2361ES-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ2361ES-T1_GE3

 
SQ2361ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 405901
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
42.87 грн
10+
37.55 грн
25+
29.37 грн
51+
20.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-2,8А(1610014)
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом(1638678)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,67Вт(1811175)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-11А(1810552)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ2361ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 405901
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
42.87 грн
10+
37.55 грн
25+
29.37 грн
51+
20.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,32Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,67Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-11А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g