0 0 0
  8. SQ2364EES-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQ2364EES-T1_GE3

 
SQ2364EES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 077424
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.27 грн
5+
34.93 грн
25+
30.80 грн
38+
26.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1664 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1,3А(1492332)
Сопротивление в открытом состоянии
245мОм(1790167)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2нC(1609793)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ2364EES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077424
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.27 грн
5+
34.93 грн
25+
30.80 грн
38+
26.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1664 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
245мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
2нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g