0 0 0
  8. SQ2398ES-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQ2398ES-T1_GE3

 
SQ2398ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 860648
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.38 грн
5+
48.28 грн
25+
28.90 грн
49+
20.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
1,6А(1479099)
Сопротивление в открытом состоянии
720мОм(1609930)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,4нC(1633426)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2,5А(1810539)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ2398ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 860648
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.38 грн
5+
48.28 грн
25+
28.90 грн
49+
20.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
1,6А
Сопротивление в открытом состоянии
720мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,4нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g