0 0 0
  8. SQ3419EV-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ3419EV-T1_GE3

 
SQ3419EV-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 405903
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -6,9А; Idm: -27А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
48.65 грн
10+
40.67 грн
25+
30.95 грн
47+
21.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-6,9А(1492462)
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм(1801462)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11,3нC(1636384)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-27А(1741677)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ3419EV-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 405903
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -6,9А; Idm: -27А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
48.65 грн
10+
40.67 грн
25+
30.95 грн
47+
21.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-6,9А
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11,3нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-27А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g