0 0 0
  8. SQ3426EV-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQ3426EV-T1_GE3

 
SQ3426EV-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 733328
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.75 грн
5+
43.13 грн
25+
38.25 грн
31+
32.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2253 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
7А(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
71мОм(1702171)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
5Вт(1520960)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,3нC(1632982)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
29А(1810501)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,034 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ3426EV-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 733328
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.75 грн
5+
43.13 грн
25+
38.25 грн
31+
32.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2253 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
7А
Сопротивление в открытом состоянии
71мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,3нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
29А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,034 g