0 0 0
  8. SQ4153EY-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQ4153EY-T1_GE3

 
SQ4153EY-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 140956
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.71 грн
5+
127.80 грн
11+
95.26 грн
29+
90.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2466 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-14А(1478996)
Сопротивление в открытом состоянии
8,32мОм(1738139)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,3Вт(1449544)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
151нC(1479549)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,148 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQ4153EY-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 140956
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -14А; 2,3Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
139.71 грн
5+
127.80 грн
11+
95.26 грн
29+
90.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2466 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-14А
Сопротивление в открытом состоянии
8,32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
151нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,148 g