0 0 0
  7. SQ4940AEY-T1_GE3

Транзисторы многоканальные SQ4940AEY-T1_GE3

 
SQ4940AEY-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 529458
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.78 грн
5+
61.52 грн
20+
51.78 грн
53+
48.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 468 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
5,3А(1492487)
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм(1479159)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,3Вт(1449369)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
43нC(1479408)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g
 
Транзисторы многоканальные SQ4940AEY-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 529458
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.78 грн
5+
61.52 грн
20+
51.78 грн
53+
48.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 468 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
5,3А
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
43нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g