0 0 0
  7. SQ4961EY-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SQ4961EY-T1-GE3

 
SQ4961EY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842739
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2500+
60.33 грн
Мин. заказ: 2500
Кратность:  2500
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-4,4А(1643115)
Сопротивление в открытом состоянии
176мОм(1713746)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
3,3Вт(1607485)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-18А(1786524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SQ4961EY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842739
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2500+
60.33 грн
Мин. заказ: 2500
Кратность:  2500
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-4,4А
Сопротивление в открытом состоянии
176мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
40нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g