0 0 0
  8. SQA411CEJW-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQA411CEJW-T1_GE3

 
SQA411CEJW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 842627
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
15.73 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-6,46А(1986084)
Сопротивление в открытом состоянии
326,1мОм(1986085)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
13,6Вт(1741788)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15,5нC(1609978)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQA411CEJW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 842627
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
15.73 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-6,46А
Сопротивление в открытом состоянии
326,1мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
13,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15,5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g