0 0 0
  8. SQA470EEJ-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQA470EEJ-T1_GE3

 
SQA470EEJ-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 077426
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.73 грн
5+
25.82 грн
25+
22.87 грн
51+
19.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SC70(1737249)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,25А(1737250)
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм(1479311)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
13,6Вт(1741788)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,1нC(1633292)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQA470EEJ-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077426
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.73 грн
5+
25.82 грн
25+
22.87 грн
51+
19.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SC70
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,25А
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
13,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
4,1нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g