0 0 0
  8. SQD50P08-28_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQD50P08-28_GE3

 
SQD50P08-28_GE3
 
VISHAY
Артикул: 481399
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
166.11 грн
5+
147.83 грн
9+
114.45 грн
24+
108.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-80В(1536865)
Ток стока
-28А(1478960)
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм(1441275)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
45Вт(1607948)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
145нC(1636390)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-190А(1846333)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQD50P08-28_GE3
VISHAY
Артикул: 481399
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
166.11 грн
5+
147.83 грн
9+
114.45 грн
24+
108.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-80В
Ток стока
-28А
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
145нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-190А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g