0 0 0
  8. SQJ126EP-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQJ126EP-T1_GE3

 
SQJ126EP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846930
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
71.62 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
500А(1714526)
Сопротивление в открытом состоянии
2мОм(1479588)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
152нC(1743005)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
776А(1985930)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQJ126EP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 846930
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
71.62 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
500А
Сопротивление в открытом состоянии
2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
500Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
152нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
776А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g