0 0 0
  8. SQJ164ELP-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQJ164ELP-T1_GE3

 
SQJ164ELP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846862
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
41.55 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
75А(1441317)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
187Вт(1740760)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
57нC(1479286)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQJ164ELP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 846862
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
41.55 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
75А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
187Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
57нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g