Транзисторы с каналом N SMD SQJ402EP-T1_GE3

 
SQJ402EP-T1_GE3
 
Артикул: 077431
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
104.78 грн
5+
93.67 грн
14+
72.24 грн
39+
68.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
32А(1441566)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQJ402EP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077431
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
104.78 грн
5+
93.67 грн
14+
72.24 грн
39+
68.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
32А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
34нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g