0 0 0
  8. SQJ422EP-T1_BE3

Транзисторы с каналом N SMD SQJ422EP-T1_BE3

 
SQJ422EP-T1_BE3
 
VISHAY
Артикул: 846997
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
58.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
75А(1441317)
Сопротивление в открытом состоянии
8,9мОм(1479395)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,1мкC(1950532)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQJ422EP-T1_BE3
VISHAY
Артикул: 846997
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
58.00 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
75А
Сопротивление в открытом состоянии
8,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,1мкC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g