0 0 0
  8. SQJ431EP-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQJ431EP-T1_GE3

 
SQJ431EP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 953692
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
137.85 грн
10+
113.95 грн
12+
86.86 грн
32+
82.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-200В(1441458)
Ток стока
-12А(1479010)
Сопротивление в открытом состоянии
527мОм(1811074)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
27Вт(1626689)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
106нC(1747350)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-40А(1810549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQJ431EP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 953692
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
137.85 грн
10+
113.95 грн
12+
86.86 грн
32+
82.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-200В
Ток стока
-12А
Сопротивление в открытом состоянии
527мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
106нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g