0 0 0
  8. SQJ858AEP-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQJ858AEP-T1_GE3

 
SQJ858AEP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 077434
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.30 грн
5+
54.77 грн
25+
41.28 грн
68+
38.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
6,3мОм(1479278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
48Вт(1699155)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQJ858AEP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077434
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.30 грн
5+
54.77 грн
25+
41.28 грн
68+
38.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
6,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
36нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g