0 0 0
  8. SQJQ130EL-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQJQ130EL-T1_GE3

 
SQJQ130EL-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 847042
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
168.07 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
445А(1714541)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9мОм(1603194)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
600Вт(1700331)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
455нC(1985931)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
445А(1823261)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQJQ130EL-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 847042
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
168.07 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
445А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
600Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
455нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
445А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g