0 0 0
  8. SQM100P10-19L_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQM100P10-19L_GE3

 
SQM100P10-19L_GE3
 
VISHAY
Артикул: 1170355
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
248.69 грн
5+
224.06 грн
6+
172.41 грн
16+
162.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-53А(1738146)
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм(1441301)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
0,22мкC(1950537)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQM100P10-19L_GE3
VISHAY
Артикул: 1170355
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
248.69 грн
5+
224.06 грн
6+
172.41 грн
16+
162.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-53А
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
0,22мкC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g