0 0 0
  8. SQM120N10-3M8_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQM120N10-3M8_GE3

 
SQM120N10-3M8_GE3
 
VISHAY
Артикул: 077437
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
273.56 грн
5+
246.51 грн
6+
188.56 грн
15+
178.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 414 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм(1479538)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
125нC(1712710)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,975 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQM120N10-3M8_GE3
VISHAY
Артикул: 077437
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
273.56 грн
5+
246.51 грн
6+
188.56 грн
15+
178.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 414 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
3,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
125нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,975 g