0 0 0
  8. SQS141ELNW-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQS141ELNW-T1_GE3

 
SQS141ELNW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 842637
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
39.80 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-79А(1986088)
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм(1441301)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
119Вт(1741921)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
141нC(1695264)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-227А(1986089)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQS141ELNW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 842637
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -79А; Idm: -227А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
39.80 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-79А
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
119Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
141нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-227А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g