0 0 0
  8. SQS142ENW-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQS142ENW-T1_GE3

 
SQS142ENW-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846937
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 110А; Idm: 271А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
32.53 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
110А(1479508)
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
113Вт(1740787)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
271А(1985933)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQS142ENW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 846937
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 110А; Idm: 271А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
32.53 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
110А
Сопротивление в открытом состоянии
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
113Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
35нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
271А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g