Транзисторы с каналом N SMD SQSA84CENW-T1_GE3

 
SQSA84CENW-T1_GE3
 
Артикул: 847095
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 16А; Idm: 54А; 27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
21.68 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
73мОм(1479126)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
27Вт(1626689)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
54А(1742463)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQSA84CENW-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 847095
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 16А; Idm: 54А; 27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
21.68 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
73мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
54А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g