0 0 0
  8. SUD35N10-26P-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SUD35N10-26P-GE3

 
SUD35N10-26P-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846949
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
109.64 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
37,5мОм(1610050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
47нC(1610022)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SUD35N10-26P-GE3
VISHAY
Артикул: 846949
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
109.64 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
37,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
47нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g