0 0 0
  8. SUD40151EL-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SUD40151EL-GE3

 
SUD40151EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842624
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -42А; Idm: -100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
92.99 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-42А(1778020)
Сопротивление в открытом состоянии
17,5мОм(1479030)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
112нC(1633314)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-100А(1810553)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SUD40151EL-GE3
VISHAY
Артикул: 842624
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -42А; Idm: -100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
92.99 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-42А
Сопротивление в открытом состоянии
17,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
112нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g