0 0 0
  8. SUD50N04-8M8P-4GE3

Транзисторы с каналом N SMD SUD50N04-8M8P-4GE3

 
SUD50N04-8M8P-4GE3
 
VISHAY
Артикул: 947613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.19 грн
10+
73.58 грн
40+
24.79 грн
110+
23.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2414 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
14А(1441298)
Сопротивление в открытом состоянии
8,8мОм(1479486)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30,8Вт(1811079)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,387 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SUD50N04-8M8P-4GE3
VISHAY
Артикул: 947613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 14А; Idm: 100А; 30,8Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.19 грн
10+
73.58 грн
40+
24.79 грн
110+
23.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2414 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
14А
Сопротивление в открытом состоянии
8,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,387 g