0 0 0
  8. SUD50P04-08-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SUD50P04-08-GE3

 
SUD50P04-08-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405915
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.99 грн
10+
86.52 грн
17+
60.33 грн
47+
57.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1926 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-50А(1588832)
Сопротивление в открытом состоянии
8,1мОм(1596080)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
73,5Вт(1811080)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
159нC(1811081)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-100А(1810553)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,405 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SUD50P04-08-GE3
VISHAY
Артикул: 405915
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; Idm: -100А; 73,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.99 грн
10+
86.52 грн
17+
60.33 грн
47+
57.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1926 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-50А
Сопротивление в открытом состоянии
8,1мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
73,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
159нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,405 g