0 0 0
  8. SUD50P06-15-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SUD50P06-15-GE3

 
SUD50P06-15-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947630
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
180.50 грн
10+
160.45 грн
14+
72.51 грн
37+
68.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1732 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-50А(1588832)
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм(1441275)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
113Вт(1740787)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
165нC(1479367)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-80А(1789209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,395 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SUD50P06-15-GE3
VISHAY
Артикул: 947630
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -50А; Idm: -80А; 113Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
180.50 грн
10+
160.45 грн
14+
72.51 грн
37+
68.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1732 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-50А
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
113Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
165нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,395 g