0 0 0
  8. SUD50P10-43L-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SUD50P10-43L-GE3

 
SUD50P10-43L-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405921
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.13 грн
3+
173.84 грн
10+
155.58 грн
12+
89.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-36,4А(1811147)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
72,7Вт(1811082)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
160нC(1479521)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-40А(1810549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SUD50P10-43L-GE3
VISHAY
Артикул: 405921
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -36,4А; Idm: -40А; 72,7Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.13 грн
3+
173.84 грн
10+
155.58 грн
12+
89.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-36,4А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
72,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
160нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g