0 0 0
  8. SUG90090E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SUG90090E-GE3

 
SUG90090E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843869
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 100А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
366.07 грн
4+
269.57 грн
10+
255.21 грн
500+
245.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
10,4мОм(1599489)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
395Вт(1741829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
129нC(1960016)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT SUG90090E-GE3
VISHAY
Артикул: 843869
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 100А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
366.07 грн
4+
269.57 грн
10+
255.21 грн
500+
245.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
10,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
395Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
129нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g