0 0 0
  8. SUM40010EL-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SUM40010EL-GE3

 
SUM40010EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847006
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
180.24 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
1,9мОм(1479467)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
230нC(1694419)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SUM40010EL-GE3
VISHAY
Артикул: 847006
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
180.24 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
1,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
230нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g