Транзисторы с каналом N SMD SUM40014M-GE3

 
SUM40014M-GE3
 
Артикул: 846950
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
183.54 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263-7(1492235)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
200А(1441529)
Сопротивление в открытом состоянии
1,36мОм(1985938)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
275нC(1634339)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SUM40014M-GE3
VISHAY
Артикул: 846950
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
183.54 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263-7
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
200А
Сопротивление в открытом состоянии
1,36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
275нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g