0 0 0
  8. SUM60061EL-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SUM60061EL-GE3

 
SUM60061EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842641
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
304.82 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
-80В(1536865)
Ток стока
-150А(1711580)
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
218нC(1986090)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-250А(1942409)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SUM60061EL-GE3
VISHAY
Артикул: 842641
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
304.82 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
-80В
Ток стока
-150А
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
218нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-250А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g